Διαφανή πορτοκαλί άχρηστα Wafers GaP τύπου P τύπου N τύπου 200um 350um 5G εκπομπή φωτός

Διαφανή πορτοκαλί άχρηστα Wafers GaP τύπου P τύπου N τύπου 200um 350um 5G εκπομπή φωτός

Περιγραφή:

Το Φωσφορίδιο Γαλλίου GaP, ένας σημαντικός ημιαγωγός με μοναδικές ηλεκτρικές ιδιότητες όπως και άλλα σύνθετα υλικά III-V, κρυσταλλώνεται στη θερμοδυναμικά σταθερή κυβική δομή ZB,είναι ένα πορτοκαλί-κίτρινο ημιδιαφανές κρυσταλλικό υλικό με έμμεσο κενό ζώνης 2.26 eV (300K), το οποίο συντίθεται από 6N 7N γαλλίου υψηλής καθαρότητας και φωσφόρου και αναπτύσσεται σε ενιαίο κρύσταλλο με τη μέθοδο Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Κρυστάλλιο φωσφοριούχου γαλλίου είναι τοποθετημένο σε θείο ή τελούριο για να αποκτήσει ημιαγωγό τύπου n, και ψευδαργύρου με ντόπιση ως αγωγιμότητα τύπου p για περαιτέρω κατασκευή σε επιθυμητή πλάκα, η οποία έχει εφαρμογές σε οπτικά συστήματα, ηλεκτρονικές και άλλες συσκευές οπτοηλεκτρονικής.Το Single Crystal GaP Wafer μπορεί να ετοιμαστεί Epi-Ready για το LPEΥψηλής ποιότητας μονοκρυστάλλιο φωσφορικού γαλλίου GaP πλακίδας p-τύπου,Η αγωγιμότητα τύπου n ή χωρίς ντόπινγκ στην Western Minmetals (SC) Corporation μπορεί να προσφέρεται σε μέγεθος 2 ′′ και 3 ′′ (50mm), διαμέτρου 75 mm), προσανατολισμός < 100>, < 111> με επιφανειακή επιφάνεια από κόψιμο, γυαλισμό ή προετοιμασία για επίδειξη.

Χαρακτηριστικά:

Ευρύ εύρος ζώνης κατάλληλο για την εκπομπή συγκεκριμένων μήκων κύματος φωτός.GaP Wafer Εξαιρετικές οπτικές ιδιότητες που επιτρέπουν την παραγωγή LED σε διάφορα χρώματα.
Υψηλή απόδοση στην παραγωγή κόκκινων, κίτρινων και πράσινων φωτισμών για τα LED.Υψηλότερη ικανότητα απορρόφησης φωτός σε συγκεκριμένα μήκη κύματος.Καλή ηλεκτρική αγωγιμότητα που διευκολύνει τις ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής συχνότητας. GaP Wafer Κατάλληλη θερμική σταθερότητα για αξιόπιστες επιδόσεις. Χημική σταθερότητα κατάλληλη για διεργασίες κατασκευής ημιαγωγών.GaP Wafer Ευνοϊκές παράμετροι πλέγματος για επιταξιακή ανάπτυξη πρόσθετων στρωμάτων. Ικανότητα να χρησιμεύει ως υπόστρωμα για την εναπόθεση ημιαγωγών. GaP Wafer Σκληρό υλικό με υψηλή θερμική αγωγιμότητα. Εξαιρετικές οπτοηλεκτρονικές δυνατότητες για φωτοανιχνευτές.Πολυδιάστατη στο σχεδιασμό οπτικών συσκευών για συγκεκριμένα εύρους μήκους κύματος

Τεχνικές παραμέτρους:

Εφαρμογές:

Το μονοκρυστάλλιο φωσφορικού γαλλίου μέσω κοπής, επιταξίας και άλλων διαδικασιών μπορεί να μετατραπεί σε στερεές συσκευές εκπομπής φωτός, η διάρκεια ζωής του είναι μεγάλη, είναι ημιμόνιμη.Αυτή η συσκευή έχει αναπτυχθεί γρήγορα και χρησιμοποιείται ευρέως σε όργανα, υπολογιστές και ηλεκτρονικά ρολόγια κ.λπ., για ψηφιακή οθόνη ή δείκτη φωτός, μπορεί να εκπέμπει κόκκινο ή πράσινο φως κ.λπ. (το φωτεινό μήκος κύματος ποικίλλει ανάλογα με το ντόπινγκ).Οι πρώτες συσκευές εκπομπής φωτός που κατασκευάζονταν από αρσενικό γάλλιο απαιτούσαν ρεύμα 100 εκατομμυρίων αμπέρ για να εκπέμπουν 20 εκατομμυρίων λαμπρών ανά λέξηΗ ίδια συσκευή εκπομπής φωτός από φωσφορίδιο του γαλλίου απαιτεί μόνο 10 εκατομύρια ρεύματος για να εκπέμψει 20 εκατομύρια.Η απόδοση του φωτεινού σωλήνα φωσφοριδίου του γαλλίου που παράγεται με τη μέθοδο της διπλοστρωμικής επιταξίας είναι 4-5%.Ο Wingloff πιστεύει ότι ο κύριος παράγοντας που επηρεάζει την αποτελεσματικότητα των συσκευών εκπομπής φωτός από φωσφορικά άλατα είναι η πυκνότητα εξάρθρωσης στον κρύσταλλο,και η φωτεινή απόδοση είναι χαμηλή όταν η πυκνότητα εκτόξευσης είναι υψηλή.

Άλλα προϊόντα:

Βάλες GaN:

Γενικά ερωτήματα:

Ε: Ποιο είναι το εμπορικό σήμα τουΓκαπ βάφλες?

Α: Η επωνυμία του προϊόντοςΓκαπ βάφλεςείναι ZMSH.

Ε: Τι είναι η Πιστοποίηση τουΓκαπ βάφλες?

Α: Η πιστοποίηση τουΓκαπ βάφλεςείναι ROHS.

Ε: Πού είναι ο τόπος καταγωγής τουΓκαπ βάφλες?

Α: Ο τόπος προέλευσης τουΓκαπ βάφλεςείναι η Κίνα.

Ε: Ποια είναι η MOQ τουΓΑΠ βάφλες σε μία φορά?

Α: Η MOQ τουΓκαπ βάφλεςΕίναι 25 κομμάτια τη φορά.