Σύνοψη: Ανακαλύψτε το 4H-SEMI Silicon Carbide SiC Substrate, ένα υφάσμα υψηλής απόδοσης ιδανικό για ηλεκτρονική ισχύος, ηλεκτρονική αυτοκινήτων και συσκευές RF.Διατίθεται σε διάμετρο 2 ίντσες με επιλογές πάχους 350um ή 500um, αυτό το υπόστρωμα υψηλής ή χαμηλής ποιότητας προσφέρει εξαιρετική σκληρότητα και αξιοπιστία για απαιτητικές εφαρμογές.
Σχετικά χαρακτηριστικά προϊόντων:
Φτιαγμένο από μονοκρυστάλλιο SIC για ανώτερη ποιότητα και απόδοση.
Υποστηρίζει εξατομικευμένα σχέδια με συγκεκριμένες απαιτήσεις σχεδίων.
Υψηλή βαθμολογία σκληρότητας περίπου 9.2 Mohs για ανθεκτικότητα.
Χρησιμοποιείται ευρέως σε βιομηχανίες υψηλής τεχνολογίας όπως η ηλεκτρονική ισχύος και αυτοκινήτων.
Διατίθεται τόσο σε ποιότητα prime όσο και σε ποιότητα dummy για να καλύψει διάφορες ανάγκες.
Διπλής όψης στίλβωση με CMP στην πλευρά Si για λεία επιφανειακή επεξεργασία.
Πυρηνική πυκνότητα ≤ 5 μικροσωλήνες/cm2 για εφαρμογές υψηλής ποιότητας.
Προσαρμόσιμες προδιαγραφές για την κάλυψη μοναδικών απαιτήσεων έργου.
FAQS:
Πώς διασφαλίζει η 4H-SiC Semi την ποιότητα των πλακιδίων της;
Το 4H-SiC Semi χρησιμοποιεί προηγμένες τεχνικές κατασκευής, συμπεριλαμβανομένων της Χημικής Εναπόθεσης Ατμών (CVD) και της Φυσικής Μεταφοράς Ατμών (PVT), και ακολουθεί αυστηρές διαδικασίες ποιοτικού ελέγχου για να εξασφαλίσει υψηλής ποιότητας δίσκους.
Ποια είναι η κύρια διαφορά μεταξύ 4H-N SiC και 4H-SEMI SiC;
Η κύρια διαφορά είναι ότι το 4H-N SiC (Νιτρογόνο-δομημένο) είναι ημιαγωγός καρβίδιο του πυριτίου n τύπου, ενώ το 4H-Semi SiC είναι ημιμονωτικό καρβίδιο του πυριτίου,που έχει υποβληθεί σε επεξεργασία ώστε να έχει πολύ υψηλή αντίσταση.
Μπορεί το υπόστρωμα 4H-SEMI SiC να προσαρμοστεί;
Ναι, το υπόστρωμα 4H-SEMI SiC υποστηρίζει προσαρμοσμένα σχέδια με συγκεκριμένα έργα τέχνης και προδιαγραφές για την κάλυψη μοναδικών απαιτήσεων έργων.