EPI-ΓΚΟΦΡΈΤΕΣ gaN--Si 8INCH 12INCH 6INCH για την εφαρμογή των οδηγήσεων δύναμης RF

8INCH 12INCH 6INCH GAN-ON-SI EPI-WAFERS για για ισχύ RF LED εφαρμογή

Επεταξιακή πλάκα GaN (GaN EPI σε Σιλικόνιο)
Το νιτρικό γαλλίμιο (GaN) έχει χρησιμοποιηθεί ευρέως σε συσκευές ισχύος και σε διόδους εκπομπής μπλε φωτός λόγω του μεγάλου ενεργειακού κενού του.

Εισαγωγή
Για την κάλυψη αυτών των αναγκών, η Επιτροπή θα πρέπει να προχωρήσει σε μια αναθεώρηση των κανόνων για την προστασία των ζώων.Έχουμε αναπτύξει ένα υποστρώμα ημιαγωγών ευρείας ζώνης με νιτρίδιο του γαλίου (GaN) ως το υλικό ημιαγωγών επόμενης γενιάς.
Σύνθεση: Με την καλλιέργεια λεπτών ταινιών μονοκρυσταλλικού GaN σε υπόστρωμα πυριτίου, μπορούμε να παράγουμε μεγάλα, φθηνά υποστρώματα ημιαγωγών για συσκευές επόμενης γενιάς

.
Στόχος: Για οικιακές συσκευές: διακόπτες και μετατροπείς με τάσεις διακοπής εκατοντάδων.
Πλεονεκτήματα: Τα υποστρώματα πυριτίου μας είναι φθηνότερα για την καλλιέργεια GaN από άλλα υποστρώματα καρβιδίου πυριτίου ή ζαφείρου και μπορούμε να παρέχουμε συσκευές GaN προσαρμοσμένες στις απαιτήσεις των πελατών.

Γλωσσάριο
διαφορά ευρείας ζώνης
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors)Υλικό ευρείας ζώνης με καλή οπτική διαφάνεια και υψηλή ηλεκτρική τάση διακοπής

Ετεροσύνδεση
Σε γενικές γραμμές, στον τομέα των ημιαγωγών, συγκεντρώνονται σχετικά λεπτές ταινίες από ημιαγωγικά υλικά διαφορετικής σύνθεσης.Στην περίπτωση των μικτών κρυστάλλων, αποκτώνται ετεροσύνδεσεις με ατομικά ομαλές διεπαφές και καλές ιδιότητες διεπαφής.