Σπίτι
>
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
>
Γκοφρέτα φωσφιδίων ίνδιου
>
|
| Τόπος καταγωγής | ΚΙΝΑ |
| Μάρκα | zmkj |
| Αριθμό μοντέλου | InP-3INCH |
4inch ημιμονωτική γκοφρέτα InP φωσφιδίων ίνδιου για τη δίοδο λέιζερ LD, γκοφρέτα ημιαγωγών, γκοφρέτα 3inch InP, υποστρώματα ενιαίου κρυστάλλου wafer2inch 3inch 4inch InP για την εφαρμογή LD, γκοφρέτα ημιαγωγών, γκοφρέτα InP, γκοφρέτα ενιαίου κρυστάλλου
Το InP εισάγει
| Ενιαίο κρύσταλλο InP | |
|
|
|
η αύξηση (τροποποιημένη μέθοδος Czochralski) χρησιμοποιείται για να τραβήξει έναν ενιαίο κρύσταλλο μέσω μιας βορικής υγρής encapsulant έναρξης οξειδίων από έναν σπόρο. Το υλικό πρόσμιξης (Φε, S, Sn ή ZN) προστίθεται στη χοάνη μαζί με το polycrystal. Η υψηλή πίεση εφαρμόζεται μέσα στην αίθουσα για να αποτρέψει αποσύνθεση της επιχείρησης ίνδιου Phosphide.he έχει αναπτύξει μια διαδικασία για να παραγάγει την πλήρως στοιχειομετρική, υψηλή αγνότητα και το χαμηλό κρύσταλλο πυκνότητας εξάρθρωσης ενιαίο inP. σε μια θερμική τεχνολογία διαφραγμάτων σχετικά με έναν αριθμητικό διαμόρφωση των θερμικών όρων αύξησης. tCZ είναι ένας οικονομικώς αποδοτικός ώριμη τεχνολογία με υψηλό - ποιοτική δυνατότητα αναπαραγωγής από το boule στο boule |
|
Προδιαγραφή
Ναρκωμένο Φε InP
Ημιμονωτικές προδιαγραφές InP
| Μέθοδος αύξησης | VGF |
| Υλικό πρόσμιξης | Σίδηρος (????????) |
| Μορφή γκοφρετών | Κύκλος (DIA: 2», 3», ΚΑΙ 4») |
| Προσανατολισμός επιφάνειας | (100) ±0.5° |
*Other προσανατολισμοί ίσως διαθέσιμοι κατόπιν αιτήματος
| Ειδική αντίσταση (Ω.cm) | ≥0.5 × 107 |
| Κινητικότητα (cm2/V.S) | ≥ 1.000 |
| Χαράξτε την πυκνότητα πισσών (τ.εκ.) | 1,500-5,000 |
| Διάμετρος γκοφρετών (χιλ.) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Πάχος (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| ΣΤΡΕΒΛΩΣΗ (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| (Χιλ.) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| /ΕΑΝ (χιλ.) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
, P=Polished
Σημείωση: Άλλες προδιαγραφές ίσως διαθέσιμες κατόπιν αιτήματος
n- και π-τύπος InP
Ημιαγωγικές προδιαγραφές InP
| Μέθοδος αύξησης | VGF |
| Υλικό πρόσμιξης | ν-τύπος: S, Sn ΚΑΙ Undoped π-τύπος: ZN |
| Μορφή γκοφρετών | Κύκλος (DIA: 2», 3», ΚΑΙ 4») |
| Προσανατολισμός επιφάνειας | (100) ±0.5° |
*Other προσανατολισμοί ίσως διαθέσιμοι κατόπιν αιτήματος
| Υλικό πρόσμιξης | S & Sn (ν-τύπος) | Undoped (ν-τύπος) | ZN (π-τύπος) |
| Συγκέντρωση μεταφορέων (εκατ.-3) | (0.8-8) × 1018 | (1-10) × 1015 | (0.8-8) ×1018 |
| Κινητικότητα (cm2/V.S.) | (1-2.5) × 103 | (3-5) × 103 | 50-100 |
| Χαράξτε την πυκνότητα πισσών (τ.εκ.) | 100-5,000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| Διάμετρος γκοφρετών (χιλ.) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Πάχος (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| ΣΤΡΕΒΛΩΣΗ (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| (Χιλ.) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| /ΕΑΝ (χιλ.) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
, P=Polished
Σημείωση: Άλλες προδιαγραφές ίσως διαθέσιμες κατόπιν αιτήματος
| Επεξεργασία γκοφρετών InP | |
|
|
| Κάθε πλίνθωμα κόβεται στις γκοφρέτες που περιτυλίγονται, γυαλισμένος και επιφάνεια που προετοιμάζεται για την επιταξία. Η γενική διαδικασία είναι λεπτομερής κάτωθι. | |
|
|
| Επίπεδοι προδιαγραφή και προσδιορισμός | Ο προσανατολισμός υποδεικνύεται στις γκοφρέτες από δύο επίπεδα (πολύ οριζόντια για τον προσανατολισμό, το μικρό επίπεδο για τον προσδιορισμό). Συνήθως τα πρότυπα E.J. (ανάμεσα στην Ευρώπη και την Ηαπωνία) χρησιμοποιούνται. Η εναλλάσσομαι επίπεδη διαμόρφωση (ΗΠΑ) χρησιμοποιείται συνήθως για» γκοφρέτες Ø 4. |
|
|
| Προσανατολισμός του boule | Είτε εξαναγκάστε (100) είτε τις γκοφρέτες προσφέρεται. |
|
|
| Ακρίβεια του προσανατολισμού | Σε απάντηση στις ανάγκες της οπτικοηλεκτρονικής βιομηχανίας, προσφέρουμε τις γκοφρέτες με την άριστη ακρίβεια του προσανατολισμού: < 0=""> |
|
|
| Σχεδιάγραμμα ακρών | Υπάρχουν δύο κοινά specs: χημική επεξεργασία ακρών ή μηχανική επεξεργασία ακρών (με έναν μύλο ακρών). |
|
|
| Στίλβωση | Οι γκοφρέτες είναι γυαλισμένες με τη βοήθεια μιας χημικός-μηχανικής διαδικασίας με συνέπεια μια επίπεδη, ζημία-ελεύθερη επιφάνεια. παρέχουμε και την διπλός-πλευρά που γυαλίζονται και την ενιαίος-πλευρά γυαλίσαμε (με την περιτυλιγμένη και χαραγμένη πίσω πλευρά) τις γκοφρέτες. |
|
|
| Τελικές προετοιμασία και συσκευασία επιφάνειας | Οι γκοφρέτες περνούν από πολλά χημικά βήματα να αφαιρέσουν το οξείδιο που παράγεται κατά τη διάρκεια της στίλβωσης και να δημιουργήσουν μια καθαρή επιφάνεια με το σταθερό και ομοιόμορφο στρώμα οξειδίων που είναι έτοιμο για την κρυσταλλική αύξηση - epiready επιφάνεια και που μειώνει τα ιχνοστοιχεία εξαιρετικά - χαμηλά επίπεδα. Μετά από την τελική επιθεώρηση, οι γκοφρέτες συσκευάζονται με τέτοιο τρόπο ώστε που διατηρεί την καθαρότητα επιφάνειας. Οι συγκεκριμένες οδηγίες για την αφαίρεση οξειδίων είναι διαθέσιμες για όλους τους τύπους κρυσταλλικών τεχνολογιών (MOCVD, MBE). |
|
|
| Βάση δεδομένων | Ως τμήμα του στατιστικού ελέγχου διεργασίας/του συνολικού προγράμματος ποιοτικής διαχείρισής μας, η εκτενής βάση δεδομένων που καταγράφει τις ηλεκτρικές και μηχανικές ιδιότητες για κάθε ανάλυση πλινθωμάτων καθώς επίσης και ποιότητας και επιφάνειας κρυστάλλου των γκοφρετών είναι διαθέσιμη. Σε κάθε στάδιο της επεξεργασίας, το προϊόν επιθεωρείται πρίν περνά στο επόμενο στάδιο για να διατηρήσει ένα υψηλό επίπεδο της ποιοτικής συνέπειας από την γκοφρέτα στην γκοφρέτα και από το boule στο boule. |
Συσκευασία & παράδοση
FAQ:
Q: Ποιος είναι ο χρόνος σας MOQ και παράδοσης;
Α: (1) για τον κατάλογο, το MOQ είναι 5 PC.
(2) για τα προσαρμοσμένα προϊόντα, το MOQ είναι 10-30 PC επάνω.
(3) για τα προσαρμοσμένα προϊόντα, ο χρόνος παράδοσης σε 10days, το μέγεθος για 2-3weeks
Μας ελάτε σε επαφή με ανά πάσα στιγμή
