Σπίτι
>
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
>
Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου
>
|
| Τόπος καταγωγής | Κίνα |
| Μάρκα | zmsh |
| Αριθμό μοντέλου | GaN-001 |
γκοφρέτα GaN νιτριδίων γαλλίου μεθόδου 2inch HVPE, ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN για το LD, τσιπ GaN μεγέθους 10x10mm, γκοφρέτα HVPE GaN
Περίπου το χαρακτηριστικό γνώρισμα GaN εισάγει
|
Αυξανόμενη ζήτηση για τις υψηλής θερμοκρασίας και υψηλών δύναμη-χειριμένος ικανότητες μεγάλης ταχύτητας, έχει κάνει η βιομηχανία ημιαγωγών ξανασκέφτεται την επιλογή των υλικών που χρησιμοποιούνται ως ημιαγωγοί. Για παράδειγμα, καθώς οι διάφορες γρηγορότερες και μικρότερες συσκευές υπολογισμού προκύπτουν, η χρήση του πυριτίου το καθιστά δύσκολο να στηρίξει το νόμο Moore. Αλλά και την ηλεκτρονική δύναμης, έτσι σε GaN η γκοφρέτα ημιαγωγών αυξάνεται έξω για την ανάγκη. Λόγω των μοναδικών χαρακτηριστικών του (υψηλή μέγιστη τρέχουσα, υψηλή τάση διακοπής, και υψηλή συχνότητα μετατροπής), το νιτρίδιο GaN γαλλίου είναι το μοναδικό υλικό της επιλογής για να λύσει τα ενεργειακά προβλήματα του μέλλοντος. Βασισμένα τα στο GaN συστήματα έχουν την αποδοτικότητα υψηλότερης ισχύος, μειώνοντας κατά συνέπεια τις απώλειες ισχύος, διακόπτης στην υψηλότερη συχνότητα, κατά συνέπεια μειώνοντας το μέγεθος και το βάρος. Η τεχνολογία GaN χρησιμοποιείται στις πολυάριθμες υψηλής ισχύος εφαρμογές όπως οι βιομηχανικές, παροχές ηλεκτρικού ρεύματος καταναλωτών και κεντρικών υπολογιστών, ηλιακοί, αναστροφείς κίνησης εναλλασσόμενου ρεύματος και UPS, και υβριδικά και ηλεκτρικά αυτοκίνητα. Επιπλέον, Το GaN είναι ιδανικά ταιριαγμένο για τις εφαρμογές RF όπως οι κυψελοειδείς σταθμοί βάσης, τα ραντάρ και η καλωδιακή τηλεόραση υποδομή στους τομείς της δικτύωσης, αεροδιαστήματος και υπεράσπισης, χάρι στην υψηλή δύναμη διακοπής του, χαμηλού θορύβου αριθμός και υψηλή γραμμικότητα.
|
|
|
|
|
2» υποστρώματα GaN | |
| Στοιχείο | GaN-FS-ν | GaN-FS-Si |
| Διαστάσεις | Ф 50.8mm ± 1mm | |
| Πυκνότητα ατέλειας του Marco | Ένα επίπεδο | ≤ 2 εκατ.-2 |
| Επίπεδο Β | > 2 εκατ.-2 | |
| Πάχος | 330 ± 25 µm | |
| Προσανατολισμός | Γ-άξονας (0001) ± 0.5° | |
| Προσανατολισμός επίπεδος | (1-100) ± 0.5°, 16,0 ± 1.0mm | |
| Δευτεροβάθμιος προσανατολισμός επίπεδος | (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm | |
| TTV (συνολική παραλλαγή πάχους) | ≤15 µm | |
| ΤΟΞΟ | ≤20 µm | |
| Τύπος διεξαγωγής | Ν-τύπος | Ημιμονωτικός |
| Ειδική αντίσταση (300K) | < 0=""> | >106 Ω·εκατ. |
| Πυκνότητα εξάρθρωσης | Λιγότερο από 5x106 εκατ.-2 | |
| Χρησιμοποιήσιμη επιφάνεια | > 90% | |
| Στίλβωση | Μπροστινή επιφάνεια: RA < 0=""> | |
| Πίσω επιφάνεια: Λεπτό έδαφος | ||
| Συσκευασία | Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στα ενιαία εμπορευματοκιβώτια γκοφρετών, κάτω από μια ατμόσφαιρα αζώτου. | |
Μας ελάτε σε επαφή με ανά πάσα στιγμή
